中古 酸化炉
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型式
年式表記：
仕様:
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本体価格(税別、送料別)
2,000,000円
【AIによる装置概要】
本装置は、半導体シリコンウェーハ等の基板表面に均一で緻密な絶縁酸化膜（SiO2）を形成するための熱処理装置です。半導体デバイス製造におけるゲート酸化膜や素子分離膜の形成、各種アニールプロセスにおいて極めて重要な役割を果たします。
炉内は複数の制御ゾーン（通常4〜5ゾーン）に分割された精密なヒーターによって加熱され、800℃から最高1200℃に達する高温環境下において、±0.5℃〜±1.0℃という非常に厳密な温度均一性を維持します。この高度な温度制御技術により、ウェーハ面内およびバッチ間での成膜ばらつきを最小限に抑え、高品質なプロセス結果を安定して提供します。
また、一度に100枚〜150枚の基板を一括で処理できるバッチ方式を採用しており、量産ラインにおいて高いスループット（生産性）を発揮します。ドライ酸化用の酸素（O2）プロセスに加え、水素（H2）と酸素を燃焼させて水蒸気を生成するパイロジェニック酸化などのウェット酸化プロセスにも対応可能なガス供給系を備え、要求される膜厚や電気的特性に応じた柔軟な運用が可能な信頼性の高い設計となっています。
【AIによる参考仕様】
対応基板サイズ：150mm / 200mm / 300mm（※セットアップ状態により変動）
最大処理枚数（バッチサイズ）：約100枚 〜 150枚 / バッチ
常用使用温度範囲：800℃ 〜 1150℃
最高使用温度：約1200℃
温度制御精度：±0.5℃ 〜 ±1.0℃
ヒーター構成：マルチゾーン抵抗加熱式（4〜5ゾーン制御）
対応プロセス：ドライ酸化、ウェット酸化（パイロジェニック等）、各種アニール処理
導入可能ガスライン：O2、N2、H2、Ar 系統
反応管材質：高純度石英ガラス
装置寸法（W×D×H）：約 1,200mm × 2,000mm × 3,000mm （※代表的な縦型炉の実装目安）
装置本体重量：約 1,500kg 〜 2,500kg
本装置は、半導体シリコンウェーハ等の基板表面に均一で緻密な絶縁酸化膜（SiO2）を形成するための熱処理装置です。半導体デバイス製造におけるゲート酸化膜や素子分離膜の形成、各種アニールプロセスにおいて極めて重要な役割を果たします。
炉内は複数の制御ゾーン（通常4〜5ゾーン）に分割された精密なヒーターによって加熱され、800℃から最高1200℃に達する高温環境下において、±0.5℃〜±1.0℃という非常に厳密な温度均一性を維持します。この高度な温度制御技術により、ウェーハ面内およびバッチ間での成膜ばらつきを最小限に抑え、高品質なプロセス結果を安定して提供します。
また、一度に100枚〜150枚の基板を一括で処理できるバッチ方式を採用しており、量産ラインにおいて高いスループット（生産性）を発揮します。ドライ酸化用の酸素（O2）プロセスに加え、水素（H2）と酸素を燃焼させて水蒸気を生成するパイロジェニック酸化などのウェット酸化プロセスにも対応可能なガス供給系を備え、要求される膜厚や電気的特性に応じた柔軟な運用が可能な信頼性の高い設計となっています。
【AIによる参考仕様】
対応基板サイズ：150mm / 200mm / 300mm（※セットアップ状態により変動）
最大処理枚数（バッチサイズ）：約100枚 〜 150枚 / バッチ
常用使用温度範囲：800℃ 〜 1150℃
最高使用温度：約1200℃
温度制御精度：±0.5℃ 〜 ±1.0℃
ヒーター構成：マルチゾーン抵抗加熱式（4〜5ゾーン制御）
対応プロセス：ドライ酸化、ウェット酸化（パイロジェニック等）、各種アニール処理
導入可能ガスライン：O2、N2、H2、Ar 系統
反応管材質：高純度石英ガラス
装置寸法（W×D×H）：約 1,200mm × 2,000mm × 3,000mm （※代表的な縦型炉の実装目安）
装置本体重量：約 1,500kg 〜 2,500kg