中古 西進商事 レーザスクライバー SS-3021

レーザースクライブ装置の仕組み

レーザースクライブの基本的な仕組みは、集光した高エネルギーのレーザービームを対象物の表面または内部に照射し、局所的な熱歪みや蒸発（アブレーション）を引き起こすことにあります。

加工方式には大きく分けて、表面を削る方式と材料内部に改質層を形成する方式が存在します。表面加工方式では、レーザー熱によって材料を蒸発・溶融させて微細な連続した溝を形成します。一方、内部加工方式（ステルススクライブなど）では、透過性のある波長のレーザーを材料内部に焦点を合わせて照射し、外観を傷つけずに内部だけに微小な亀裂や脆い層を作り出します。

いずれの方式においても、レーザーによって形成された溝や内部改質層が導線（割れやすい構造）となり、その後の工程でわずかな力や熱衝撃を加えることで、材料を狙った線に沿ってきれいに割断（ブレイク）させます。

レーザースクライブ装置の特徴

レーザースクライブ装置の最大の特徴は、非接触で加工を行える点です。ダイヤモンド刃などの物理的な工具を使用しないため、刃の摩耗による品質低下や工具の定期交換が不要となります。また、加工時に物理的な圧力がかからないため、極薄の基板や加工が難しい脆性材料であっても、割れや歪みを極力抑えて加工できます。

切断面の品質が非常に高いことも特筆すべき点です。機械的な切断で発生しやすいチッピング（微小な欠け）やクラックを最小限に抑えられるため、切断後の部品強度が向上します。さらに、レーザーのスポット径を極小に絞り込めるため、加工幅（ストリート幅）を非常に狭く設定でき、1枚の原材料からより多くの製品を採取できるという経済的メリットもあります。

また、超短パルスレーザー（ピコ秒やフェムト秒レーザー）を使用する装置では、熱が周囲に伝わる前に材料を蒸発させるため、熱影響部（HAZ）がほとんど生じません。これにより、熱に弱い精密部品や多層構造の材料でも高品位な加工が可能です。

レーザースクライブ装置の用途

レーザースクライブ装置は、微細加工と高精度な切断が求められる先進的な産業分野で幅広く活用されています。

半導体製造分野では、シリコンウェハのダイシングはもちろんのこと、ダイヤモンド刃では加工が困難なサファイア、SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム）といった硬度の高いパワー半導体用ウェハの個片化工程において必須の技術となっています。

ディスプレイ製造分野では、スマートフォンやウェアラブル端末に使用されるカバーガラスの切断、液晶（LCD）や有機EL（OLED）のガラス基板の精密加工に用いられています。直線だけでなく、曲線や異形に切り抜く加工にも対応できます。

太陽電池分野においては、薄膜太陽電池の製造過程でセルとセルを電気的に分離・接続するための微細なパターン形成（スクライビング工程）に利用され、発電効率の向上に貢献しています。

さらに、電子機器の小型化に伴い、高放熱性を持つセラミックス基板や、柔軟性のあるフレキシブルプリント基板（FPC）の精密切断など、エレクトロニクス実装分野全体へと用途が広がっています。