中古 サムコ Samco ドライエッチング（RIE） RIE-10NR
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- メーカー
- サムコ Samco
- 型式
- RIE-10NR
- 機種
- ドライエッチング（RIE）
- 年式
- 2003年
- 仕様
- CH4
- 管理番号
- Z23112404
- 引渡・支払
- 現状有姿/出荷前銀行振込(公的機関は後払い可)
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RIE-10NR の参考仕様
型式の一般的な値を、AIがメーカー資料などから調べたものです。この個体を測った値ではありません。
| 方式 | 平行平板型RIE(無遮蔽型、電極間距離55mm半固定) |
|---|---|
| 対応基板 | 最大φ220mm(8インチ×1、4インチ×3、3インチ×5) |
| 反応室 | アルミ製、外寸φ400×170(H)、内径φ340、φ40ビューポート付 mm |
| 電極 | 上下ともアルミ製φ240(下部電極に石英カバーφ250) mm |
| 高周波電源 | 13.56MHz、最大300W(水晶発振ソリッドステート、オートマッチング) |
| 高真空排気 | 複合分子ポンプ 200L/s(N2)・空冷 |
| 補助ポンプ | ロータリーポンプ 208/250L/min(50/60Hz)、フォンブリンオイル仕様 |
| 圧力制御 | 4インチ自動圧力制御バルブ(ゲート型・モーター駆動) |
| 真空計 | ダイアフラム型 266〜0.0133Pa / 全圧計 大気圧〜1×10⁻⁴Pa |
| ガス系 | MFC 2系列(CF4・O2、各最大200sccm・N2校正)、1/4インチVCR溶接配管 SUS316 |
| 基板冷却 | 下部電極ジャケット水冷 |
| 制御 | シーケンサ自動運転+ELタッチパネル、レシピ10個(各4ステップ) |
出典: メーカー資料、samcointl.com
ドライエッチング（RIE）とは
機種一般の解説です(AIによる記述)。この個体の仕様ではありません。
リアクティブイオンエッチング（RIE：Reactive Ion Etching）は、減圧された真空容器内にエッチングガスを導入し、高周波電力を加えることでプラズマを発生させて材料を削る技術です。プラズマ中には、電気的に中性で化学反応を起こしやすい「ラジカル」と、電荷を持った「正イオン」が存在します。
RIEの基本的な仕組みは、化学的反応と物理的衝突という2つの作用の融合にあります。チャンバー内に設置された電極に高周波電圧を印加すると、基板側に負の電位（セルフバイアス）が発生します。この電位差により、プラズマ中の正イオンが基板表面に向かって垂直に加速され、高速で突入します。
イオンが突入することで基板表面の原子結合が弱まり、そこへラジカルが効率よく化学反応を起こします。反応によって発生した揮発性の化学物質は真空ポンプで排気されます。イオンによる物理的なスパッタ作用と、ラジカルによる化学的エッチング作用が相乗効果を生み出すことで、極めて高精度な加工を実現しています。
RIEの最大の特徴は、優れた「異方性エッチング性能」にあります。従来の薬液を用いたウェットエッチングでは、横方向にも侵食が進む等方性になりやすく、微細なパターンの作成が困難でした。これに対し、RIEは垂直に直進するイオンの力を利用するため、深さ（縦方向）のみを選択的に削る異方性加工が可能です。これにより、微細で深さのある構造（高アスペクト比）を精密に形成できます。
また、使用するガスの種類や混合比、圧力、投入電力を調整することで、下地材料やマスク材に対するエッチング速度の比率（選択比）を高く設定できます。これにより、必要な層だけを正確に削り取り、下地を傷つけずに加工を停止させることが容易になります。一方で、高速イオンの衝突による物理的ダメージ（結晶欠陥など）や、帯電による素子の破壊リスクも存在するため、プロセスの最適化と厳密なコントロールが求められます。
RIEの主な用途は、現代の先端技術において非常に多岐にわたります。最も重要な領域は半導体デバイスの製造工程であり、シリコンウェハ上の酸化膜（SiO2）や窒化膜（SiN）、ポリシリコン、金属配線層の微細加工に多用されています。最先端のCPUやメモリチップの製造には不可欠な技術です。
さらに、圧力センサーや加速度センサーなどを製作するMEMS（微小電気機械システム）の立体的な構造形成にも欠かせません。その他、面発光レーザー（VCSEL）などの光デバイス加工、バイオチップの微細流路作成、次世代パワー半導体材料である炭化珪素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）のエッチングなど、最先端のエレクトロニクス分野で幅広く活用されています。