中古半導体熱処理炉（酸化炉・RTP・エピ）の在庫・価格（その他）

半導体熱処理炉は、シリコンウェーハや化合物半導体、薄膜の試料を高温に保ち、酸化膜の形成、不純物の拡散、結晶性の回復、膜の改質などを行う装置の総称である。半導体製造の前工程では成膜・リソグラフィー・エッチングと並ぶ基本の工程を担い、量産工場の大型装置から、大学や研究所の机の上に置ける小型のランプ加熱装置まで幅が広い。ここには酸化炉・拡散炉などの炉型の装置と、RTP(急速熱処理)装置、エピタキシャル成長装置が入る。
酸化炉・拡散炉は、石英管の周りをヒーターで囲んだ電気炉で、多数のウェーハを石英ボートに並べて一度に処理する。管を横に置く横型と縦に立てる縦型があり、縦型は設置面積が小さく、大口径ウェーハの量産で主流になった。酸素だけを流すドライ酸化は緻密な薄い酸化膜に、水蒸気を加えるウェット酸化は厚い酸化膜を速く付けるのに向く。同じ炉で窒素雰囲気のアニールや、原料ガスを流す減圧CVDを行う構成もある。
RTP(Rapid Thermal Processing)は、ハロゲンランプなどの赤外線でウェーハや試料を直接加熱し、短い時間で昇温・降温する方式で、RTA(急速熱アニール)とも呼ばれる。炉全体を温める電気炉と違い、加熱したい物だけを短い時間だけ高温にできるため、イオン注入の後の活性化アニールのように不純物を余分に拡散させたくない工程や、シリサイドの形成、電極の合金化に使われる。研究用には、反射鏡で赤外線を試料に集める赤外線ゴールドイメージ炉や、真空やガス置換ができる卓上型のランプ加熱装置が多く、半導体のほか金属・セラミックスの熱処理や材料の評価にも使われる。
エピタキシャル成長装置は、加熱した基板の上に原料ガスを流し、基板の結晶の向きにそろった単結晶の膜を成長させる装置である。シリコンのほか、パワー半導体に使うSiCなどで使われ、温度の均一さとガスの流れの制御が膜質を左右する。高温での化学気相成長である点はCVD装置と共通するが、結晶をそろえて積むことを目的にしている点で区別される。
選び分けは、処理したい試料の大きさと枚数、必要な温度と昇温の速さ、雰囲気で決まる。多数のウェーハを同じ条件で長時間処理するなら炉型、少量の試料を短時間で処理したり、昇温の条件を細かく振って調べたりするならランプ加熱のRTPが向く。どの方式も、冷却水・排気・ガス配管・電源容量といった設置の条件が大きく、水素など可燃性のガスを使う場合は安全設備も合わせて考える必要がある。