中古フォトレシーバー（光検出器）の在庫・価格

フォトレシーバーは、フォトダイオードと電流電圧変換アンプ（トランスインピーダンスアンプ、TIA）を一つの筐体にまとめ、入射光の強度に比例した電圧を出力する光検出器である。フォトダイオード単体の出力は微小な電流で、配線の浮遊容量や外来ノイズの影響を受けやすい。検出素子のすぐ近くで増幅することで、微弱で高速な光信号を、オシロスコープやA/D変換器にそのまま入力できる電圧信号として取り出せる。これがフォトレシーバーの最大の特徴である。
仕組みの中心は、逆バイアスをかけたPINフォトダイオードとTIAの組み合わせである。空乏層で光子が吸収されると電子と正孔の対が生じ、電界で掃き出されて光電流になる。光電流は受光感度（A/W）と光パワーの積で決まる。TIAはこの電流をトランスインピーダンス（V/A）倍の電圧に変換し、受光感度とトランスインピーダンスの積が変換利得（V/W）となる。検出波長は素子材料で決まる。一般に、Siはおよそ320〜1000nmの可視〜近赤外域、InGaAsはおよそ900〜1700nmの通信波長帯を受け持つ。
性能を決める主な指標は帯域、利得、雑音等価パワー（NEP）で、互いにトレードオフの関係にある。トランスインピーダンスを大きくすれば微弱光を大きな電圧にできるが、帰還抵抗と素子の接合容量で決まる時定数が延び、帯域は狭くなる。このためGHz級の機種では、トランスインピーダンスを10の3乗V/A台に抑え、受光径も0.1〜0.4mm程度まで小さくして容量を減らすのが通例である。一方、kHz〜MHz帯の低速機には、10の5乗V/A以上の高い利得でnW以下の微弱光を測る機種もある。帯域2GHz前後の機種では、立ち上がり時間はおよそ180〜250ps、NEPは10〜30pW/√Hz程度が目安で、μWレンジの光をGHzの速さで捉えられる。立ち上がり時間はおおむね0.35を帯域で割った値になるので、測りたい現象の時間スケールから必要な帯域を逆算できる。
実務では、結合方式と出力仕様の確認が欠かせない。高速機はDC成分を通さないAC結合で、下限周波数が10kHz前後のものが多い。そのため平均パワーやゆっくりした変動の測定には向かない。出力は50Ω終端が前提で、高周波特性の点からSMAコネクタが標準になることが多い。50Ω負荷時の最大出力は2Vp-p前後で頭打ちになるため、入射パワーが大きすぎると飽和して波形が歪む。光入力は、光学定盤上で集光する自由空間入力と、FCコネクタなどのファイバー入力に分かれる。受光径の小さい高速機を自由空間で使うと集光とアライメントが難しく、ファイバー入力型のほうが結合を安定させやすい。出力極性（反転・非反転）や電源仕様（+15V程度の外部電源など）も、後段の計測系と合わせて確認しておきたい。
代表的な用途は、パルスレーザーや変調光の波形観測、過渡応答や短パルスの時間計測、光トリガー信号の生成、オシロスコープやA/D変換器の光電変換フロントエンドなどである。ほかにも分光計測、光通信部品の評価、レーザーの強度雑音やビート信号の測定などに広く使われる。機種選定では、対象波長、必要な帯域、想定する光パワー範囲の三つから素子材料と利得を絞り込むのが基本である。