中古リフトオフ装置の在庫・価格

リフトオフ装置は、成膜後の基板からフォトレジストを溶かし、その上に載っている不要な金属膜をまとめて取り去るウェット処理装置です。レジストのない部分に付いた膜だけが残るので、エッチングを使わずに配線や電極のパターンを作れます。金、白金、多層の電極膜のようにエッチングしにくい材料を扱う化合物半導体デバイス、RFデバイス、面発光レーザ、MEMS、プローブカード、マイクロ流路などで使われてきました。
原理は単純ですが、結果は前工程の出来に大きく左右されます。まず、側壁が逆テーパ(アンダーカット)になるレジストパターンを作ります。ネガ型レジスト、イメージリバーサル型レジスト、二層レジストなどが使われます。次に、指向性の高い蒸着で成膜し、レジストの側壁に膜が付かないようにします。こうすると膜がレジスト上と基板上で途切れ、その切れ目から剥離液がしみ込んでレジストを膨潤・溶解させ、上の金属膜が浮き上がって外れます。側壁に200〜300nmを超える膜が付くとリフトオフは難しくなり、パターンの縁にフェンス状のバリが残りやすくなります。また、成膜中の加熱でレジストが軟化(多くのポジ型で110〜130℃程度)したり、150℃前後から架橋が進んだりすると、剥がれにくくなります。
装置の方式は主に三つです。一つ目は、加温した剥離液の槽にカセットごと浸し、揺動や超音波でかくはんする浸漬バッチ式です。二つ目は、基板を立てて並べ、密閉したチャンバ内で大量の薬液を吹き付けるバッチスプレー式で、浸漬と同じ効果に液流による物理的な洗い流しを加えられます。三つ目は、基板を回転させながら高圧スプレーなどを直角に当てる枚葉式で、細かいパターンやレジストが残りやすい条件で使われます。一般的な工程は、浸漬でレジストを膨潤させ、液流や高圧噴射で膜を除去し、リンスとスピン乾燥で仕上げる流れです。剥離液にはNMPやDMSOがよく使われ、必要に応じて80℃程度まで加温します。アセトンのように蒸気圧の高い溶剤は、剥がれた膜が基板に再付着する原因になりやすいとされています。
実務で最も重要なのは、再付着の防止と微細パターンの保護を両立させることです。剥がれた金属片が基板面に戻ると歩留まりが落ちるため、薬液の循環ろ過、基板の向き(下向き保持は金属片が離れやすい)、回転数の最適化が検討されます。回転数を上げると金属片を外へ運び出しやすくなりますが、乱流で巻き戻すおそれがあります。下げすぎると金属片が沈んでたまりやすくなります。一方、噴射を強くしすぎると細い線がはがれる(デラミネーション)ため、圧力・流量・時間で調整できる範囲の広さが装置を選ぶ際の目安になります。さらに、有機溶剤を加温して使うので、密閉構造、排気、防爆対策、作業者が溶剤にさらされない設計が欠かせません。対応する基板サイズ、薬液の使用量、回収した金属の扱いもあわせて確認します。