中古 日立 Hitachi イオンミリング E-3500

イオンミリングの仕組み

イオンミリングは、加速させたイオンビームを試料表面に照射し、スパッタリング現象を利用して微細加工や表面研磨を行う技術です。

一般的に、照射するイオンには不活性ガスであるアルゴン（Ar）が用いられます。装置内部の真空雰囲気下でアルゴンガスをイオン化させ、生成されたイオンを電界によって高圧加速します。高速で射出されたイオンが試料の表面原子に物理的に衝突すると、その運動エネルギーが伝達され、試料表面の原子が外へ弾き飛ばされます。この現象がスパッタリングです。

主要な手法には「クロスセクションミリング（断面加工）」と「フラットミリング（平面研磨）」があります。クロスセクションミリングでは、加工位置に遮蔽板（マスク）を置き、マスクの上からイオンビームを照射することで、マスクの端面に沿った平滑な垂直断面を形成します。フラットミリングでは、試料を回転させながら低角度でビームを広範囲に照射し、表面の微細な凹凸やダメージ層を均一に除去して平坦化します。

イオンミリングの特徴

最大の特徴は、従来の機械研磨と比較して試料へ与える機械的・熱的ダメージが極めて少ない点です。

非接触かつ物理的な加工手法であるため、研磨紙や研磨剤を使用する機械研磨で頻発する傷、塑性変形、バリ、応力による結晶構造の歪みが生じません。そのため、材料本来の組織や結晶方位を維持したまま観察面を露出させることができ、特に電子線背向散乱回折（EBSD）による結晶方位解析の前処理において非常に高い効果を発揮します。

また、硬度が大きく異なる複合材料の加工にも適しています。例えば、硬いセラミックスと軟らかい樹脂が組み合わさった試料の場合、機械研磨では段差やダレが生じやすいですが、イオンミリングでは硬度差による研磨速度の影響を受けにくいため、異種材料間の境界線を鮮明かつ平坦に加工できます。化学薬品を使わないため、試薬による腐食や反応変質のリスクもありません。

イオンミリングの用途

イオンミリングは、主に走査型電子顕微鏡（SEM）や透過型電子顕微鏡（TEM）を用いた観察・分析の前処理技術として広く利用されています。

半導体・電子部品分野では、高密度化が進むICチップの内部構造観察、多層プリント基板の断面評価、はんだ接合部の微細な空隙（ボイド）やクラックの検出などに不可欠です。破壊しやすい微細な薄膜構造や接合界面を歪ませることなく精密に露出させることができます。

エネルギー・電池分野では、リチウムイオン二次電池の電極構造解析に多用されます。電極は活物質、導電助剤、バインダーといった硬さの異なる微粒子と有機物が混在する複雑な構造ですが、イオンミリングを用いることで、これらの構造を崩さずに断面を作成可能です。

そのほか、金属、セラミックス、高分子、複合材料の研究開発において、結晶粒界の観察、各種コーティング膜の密着性や膜厚評価、破壊原因の特定といった多面的な解析・品質管理に活用されています。