中古 松定プレシジョン 静電チャック用高圧電源 HECA-3B10×2

半導体製造装置は、シリコンなどのウェハーの上に回路を作り込む前工程と、できたチップを切り分けて配線し、製品に仕上げる後工程のそれぞれで使う装置の分野である。量産工場の大型装置だけでなく、大学や研究機関での試作、MEMSやパワー半導体、化合物半導体の開発で使われる小型の装置や手動の装置も多い。一つの素子を作るのに多くの工程を何度も繰り返すため、装置の種類が多く、工程ごとに専用の装置が並ぶのがこの分野の特徴である。
前工程の中心は、膜を付ける、パターンを写す、削る、熱を加えるという工程の繰り返しである。スピンコーターでウェハーにレジストを薄く均一に塗り、アライナー（マスクアライナー）でマスクの模様を位置合わせして露光し、現像してパターンを作る。そのパターンを使って膜を削り、ウェットエッチングやレジスト剥離、ウェハー洗浄の装置で薬液の処理を行う。酸化炉や拡散炉、RTP（急速熱処理）、エピタキシャル成長の炉は、酸化膜の形成や不純物の拡散、結晶の成長を受け持つ。膜を付けるスパッタやCVDの装置も前工程に欠かせない。
工程の合間には、結果を測って確かめる装置が入る。プローバーはウェハー上の素子に探針を当てて電気特性を測り、抵抗率測定機は四探針法などでウェハーや膜の抵抗率を求める。ウェハー搬送ロボットは、装置の間や装置の中でウェハーを運ぶ。研究の現場では、こうした測定の結果を見て、前の工程の条件を直すという往復が繰り返される。フラットミリングは、試料の表面をイオンビームで広く平らに削り、断面や表面を観察しやすくする前処理に使われる。
後工程では、ダイサーやスクライバーでウェハーを一つ一つのチップに切り分け、必要に応じてバックグラインダーで裏面を削って薄くする。ダイボンダーでチップを基板やリードフレームに固定し、ワイヤーボンダーで電極どうしを細い金属線でつなぎ、封止して製品になる。後工程の装置は前工程ほど高い清浄度を求めないものが多く、研究室でも扱いやすいが、チップの大きさや基板の形に合わせた治具が要る点は共通している。
研究開発の現場では、4インチや6インチなど小さめの口径のウェハーや、ウェハーを割った小片を、手動や半自動の装置で扱うことが多い。選び分けの基本は、扱うウェハーの口径と材料、求めるパターンの細かさ、処理する枚数である。量産用の装置は、クリーンルームの排気や純水、窒素、真空、動力電源とつながる前提で作られているため、導入するときは、設置先の設備と装置の要求がかみ合うかを最初に確かめる必要がある。