中古 アライナー
メーカー名
キャノン Canon
型式PLA-501S
年式表記:
仕様:
仕様:
本体価格(税別、送料別)
3,000,000円
【AIによる装置概要】
本装置は、主に半導体製造やMEMS、オプトエレクトロニクスデバイスの研究開発および少量生産プロセスで用いられる、近接(プロキシミティ)およびコンタクト露光方式を採用したマスクアライナーです。最大5インチ(125mm)径のウェハに対応しており、ウェハチャックやマスクホルダーを交換することで、3インチ、4インチといった小径ウェハや不定形の小片サンプル(チップ)の露光処理にも柔軟に対応することが可能です。
露光プロセスにおいては、マスクとウェハを密着させて高い解像度(約1.5〜2.0μm)を得るハードコンタクトおよびソフトコンタクト露光と、両者の間に微小な隙間(ギャップ)を設けてマスクの損傷を防ぐプロキシミティ露光の切り替えに対応しています。プロキシミティ露光機能により、パーティクルの付着やマスクの劣化を抑制しながら、歩留まりの安定したパターニングを実現します。
光学系には超高圧水銀ランプ(一般に250Wまたは500W)を搭載し、ブロードバンドUV光(g線、h線、i線)によるフォトレジストの露光を行います。アライメント作業は、搭載されたスプリットフィールド(視野分割式)顕微鏡を用いたマニュアル操作で行われ、X・Y・θ方向の微動ステージにより直感的かつ高精度なパターン合わせが可能です。堅牢でシンプルな基本構造により保守性が高く、シリコンウェハだけでなく化合物半導体などの特殊基板を扱う研究機関や試作ラインにおいて、長期間にわたり広く活用されているモデルです。
【AIによる参考仕様】
・対応ウェハサイズ:最大5インチ(125mm)※チャック交換により小径・小片チップ対応可
・対応マスクサイズ:最大5インチ〜6インチ角(使用するホルダーに依存)
・露光方式:プロキシミティ露光、ソフトコンタクト露光、ハードコンタクト露光
・光源:超高圧水銀ランプ(250W または 500W)
・露光波長:ブロードバンドUV光(g線:436nm、h線:405nm、i線:365nm帯域)
・解像力目安:コンタクト露光時 約1.5〜2.0μm / プロキシミティ露光時 約3.0〜5.0μm(設定ギャップに依存)
・アライメント方式:スプリットフィールド双眼顕微鏡によるマニュアルアライメント
・ステージ機構:X・Y・θ方向アライメント微動ステージ搭載
・主な用途:半導体、MEMS、SAWデバイス、光エレクトロニクスなどのフォトリソグラフィ工程全般
※中古品のため、過去のカスタマイズや現在の付属部品(レンズ倍率、ランプハウス仕様、チャックサイズ等)により実際の仕様が異なる場合があります。具体的な搭載部品については現品情報をご確認ください。
本装置は、主に半導体製造やMEMS、オプトエレクトロニクスデバイスの研究開発および少量生産プロセスで用いられる、近接(プロキシミティ)およびコンタクト露光方式を採用したマスクアライナーです。最大5インチ(125mm)径のウェハに対応しており、ウェハチャックやマスクホルダーを交換することで、3インチ、4インチといった小径ウェハや不定形の小片サンプル(チップ)の露光処理にも柔軟に対応することが可能です。
露光プロセスにおいては、マスクとウェハを密着させて高い解像度(約1.5〜2.0μm)を得るハードコンタクトおよびソフトコンタクト露光と、両者の間に微小な隙間(ギャップ)を設けてマスクの損傷を防ぐプロキシミティ露光の切り替えに対応しています。プロキシミティ露光機能により、パーティクルの付着やマスクの劣化を抑制しながら、歩留まりの安定したパターニングを実現します。
光学系には超高圧水銀ランプ(一般に250Wまたは500W)を搭載し、ブロードバンドUV光(g線、h線、i線)によるフォトレジストの露光を行います。アライメント作業は、搭載されたスプリットフィールド(視野分割式)顕微鏡を用いたマニュアル操作で行われ、X・Y・θ方向の微動ステージにより直感的かつ高精度なパターン合わせが可能です。堅牢でシンプルな基本構造により保守性が高く、シリコンウェハだけでなく化合物半導体などの特殊基板を扱う研究機関や試作ラインにおいて、長期間にわたり広く活用されているモデルです。
【AIによる参考仕様】
・対応ウェハサイズ:最大5インチ(125mm)※チャック交換により小径・小片チップ対応可
・対応マスクサイズ:最大5インチ〜6インチ角(使用するホルダーに依存)
・露光方式:プロキシミティ露光、ソフトコンタクト露光、ハードコンタクト露光
・光源:超高圧水銀ランプ(250W または 500W)
・露光波長:ブロードバンドUV光(g線:436nm、h線:405nm、i線:365nm帯域)
・解像力目安:コンタクト露光時 約1.5〜2.0μm / プロキシミティ露光時 約3.0〜5.0μm(設定ギャップに依存)
・アライメント方式:スプリットフィールド双眼顕微鏡によるマニュアルアライメント
・ステージ機構:X・Y・θ方向アライメント微動ステージ搭載
・主な用途:半導体、MEMS、SAWデバイス、光エレクトロニクスなどのフォトリソグラフィ工程全般
※中古品のため、過去のカスタマイズや現在の付属部品(レンズ倍率、ランプハウス仕様、チャックサイズ等)により実際の仕様が異なる場合があります。具体的な搭載部品については現品情報をご確認ください。
