中古 RF電源
メーカー名
Eni
型式ACG-5
年式表記:
仕様:
仕様:
本体価格(税別、送料別)
120,000円
【AIによる装置概要】
本装置は、半導体製造プロセスや各種真空プラズマ装置向けに設計されたソリッドステート式の高周波(RF)電源です。主にプラズマエッチング、プラズマCVD(化学気相成長)、スパッタリング、アッシングといった用途において、真空チャンバー内に安定したプラズマを発生・維持させるための主要な電力源として使用されます。
出力周波数はプラズマプロセスにおいて標準的な13.56MHzであり、最大500Wの高周波電力を供給します。完全なソリッドステート(半導体)設計を採用しているため、従来の真空管方式と比較して高い電力変換効率と長期的な稼働信頼性を実現しています。出力インピーダンスは50Ωに設定されており、オートマッチングネットワーク(自動整合器)と接続することで、プラズマ点火時やプロセス中のインピーダンス変動に対しても反射波を抑え、効率的な電力伝送が可能です。
フロントパネルでの進行波(Forward)および反射波(Reflected)電力のモニタリング、出力レベルの手動調整に加え、背面インターフェースを通じた外部信号によるリモート制御にも対応しています。これにより、既存の生産装置やPLCを用いた制御システムへの組み込みが容易です。研究開発用のテストベンチから、生産ラインの保守・代替機まで、精密な高周波電力制御が求められる環境で幅広く活用できる設計となっています。
【AIによる参考仕様】
・発振周波数:13.56 MHz
・最大出力電力:500 W
・出力インピーダンス:50 Ω
・RF出力コネクタ:N型メス(標準同軸コネクタ)
・発振・増幅方式:完全ソリッドステート方式
・制御モード:ローカル制御(フロントパネル)、リモート制御(アナログ/デジタル外部I/O)
・主な保護機能:反射電力制限(フォールドバック保護)、過熱保護、過電流・過電圧保護
・冷却方式:強制空冷(内蔵ファン)
・入力電源:単相 AC115V / 230V(※実際の機器の背面ラベルや結線状態にて要確認)
・適用用途:プラズマエッチング、CVD、スパッタリング等の高周波プラズマプロセス全般
本装置は、半導体製造プロセスや各種真空プラズマ装置向けに設計されたソリッドステート式の高周波(RF)電源です。主にプラズマエッチング、プラズマCVD(化学気相成長)、スパッタリング、アッシングといった用途において、真空チャンバー内に安定したプラズマを発生・維持させるための主要な電力源として使用されます。
出力周波数はプラズマプロセスにおいて標準的な13.56MHzであり、最大500Wの高周波電力を供給します。完全なソリッドステート(半導体)設計を採用しているため、従来の真空管方式と比較して高い電力変換効率と長期的な稼働信頼性を実現しています。出力インピーダンスは50Ωに設定されており、オートマッチングネットワーク(自動整合器)と接続することで、プラズマ点火時やプロセス中のインピーダンス変動に対しても反射波を抑え、効率的な電力伝送が可能です。
フロントパネルでの進行波(Forward)および反射波(Reflected)電力のモニタリング、出力レベルの手動調整に加え、背面インターフェースを通じた外部信号によるリモート制御にも対応しています。これにより、既存の生産装置やPLCを用いた制御システムへの組み込みが容易です。研究開発用のテストベンチから、生産ラインの保守・代替機まで、精密な高周波電力制御が求められる環境で幅広く活用できる設計となっています。
【AIによる参考仕様】
・発振周波数:13.56 MHz
・最大出力電力:500 W
・出力インピーダンス:50 Ω
・RF出力コネクタ:N型メス(標準同軸コネクタ)
・発振・増幅方式:完全ソリッドステート方式
・制御モード:ローカル制御(フロントパネル)、リモート制御(アナログ/デジタル外部I/O)
・主な保護機能:反射電力制限(フォールドバック保護)、過熱保護、過電流・過電圧保護
・冷却方式:強制空冷(内蔵ファン)
・入力電源:単相 AC115V / 230V(※実際の機器の背面ラベルや結線状態にて要確認)
・適用用途:プラズマエッチング、CVD、スパッタリング等の高周波プラズマプロセス全般
