中古機 RF電源 アネルバ　ANELVA製、型式PRF-125Cのご紹介

【AIによる装置概要】
本機は、真空成膜プロセスや表面処理技術において、安定したプラズマを発生・維持するための高周波（RF）電源です。主にスパッタリング、ドライエッチング、プラズマCVDなどの半導体製造装置や、研究開発用の真空チャンバーに組み込まれ、プロセスガスを電離させるためのエネルギー供給源として機能します。

発振周波数は、工業・科学・医療用として国際的に割り当てられているISMバンドの13.56 MHzを採用しています。水晶発振器による精密な制御により、プラズマ生成時における周波数のブレを最小限に抑え、プロセスの再現性と安定性を高める設計となっています。
最大定格出力電力は1.25 kW（1250 W）を備えており、中型以上の真空チャンバーにおいても成膜レートやエッチングレートを維持するための十分なプラズマ密度を確保できます。

出力インピーダンスは高周波機器における業界標準の50 Ωに設定されています。インピーダンス整合器（オートマッチングユニット）と連携して使用することで、プラズマ着火時やプロセス進行中の負荷変動に対しても効率的に電力を伝送し、電源への反射電力（リフレクトパワー）を安全な水準に低減します。
また、外部インターフェースを通じたリモート出力制御にも対応しており、既存のプロセスラインへの組み込みや、研究機関における実験システムとしての再構築にも適した堅牢な電源ユニットです。

【AIによる参考仕様】
・発振周波数：13.56 MHz（水晶発振制御）
・定格出力電力：1.25 kW（1250 W）
・出力インピーダンス：50 Ω
・電源安定度：±1% 以内（定格出力時）
・出力可変範囲：0 ～ 1.25 kW 連続可変
・制御方式：フロントパネルによる手動制御、および外部I/Oインターフェースによるリモート制御（出力ON/OFF、パワー設定）
・安全・保護回路：反射電力保護、過電流保護、異常温度上昇保護など
・冷却方式：強制空冷
・適用プロセス：スパッタリング、ドライエッチング、プラズマアッシング、プラズマCVDなど

※上記は同シリーズの標準的なカタログ値に基づく参考仕様です。シリーズ内の他出力モデル（250W、500W等）とは定格が異なります。実際の入力電源電圧（三相AC200V等）や背面コネクタのピンアサインについては、現品およびマニュアルでのご確認をお願いいたします。