中古 RF電源
メーカー名
Eni
型式ACG-5
年式表記:
仕様:
仕様:
本体価格(税別、送料別)
120,000円
【AIによる装置概要】
本装置は、半導体製造プロセスをはじめとする様々なプラズマ応用プロセス向けに設計されたソリッドステート方式の高周波(RF)ジェネレーターです。主にプラズマCVD、ドライエッチング、スパッタリング装置などにおけるプラズマ発生用電源として広く利用されています。
最大出力は500Wで、工業用周波数帯域である13.56MHzのRF電力を安定して供給することが可能です。出力インピーダンスは標準的な50Ωに設計されており、外部のインピーダンス・マッチングネットワークと組み合わせることで、負荷側への電力伝送効率を最適化できます。
本体前面には進行波電力(Forward Power)および反射波電力(Reflected Power)をリアルタイムで確認できるアナログメーターが配置されており、出力状態の直感的な監視が可能です。また、ソリッドステート設計により高い信頼性と再現性を備えています。冷却方式には強制空冷を採用しているため、水冷用の配管設備を必要とせず、設備への組み込みが容易な点も特徴です。フロントパネルでの手動操作に加え、アナログインターフェースを通じた外部リモート制御にも対応しており、研究開発用途から自動化された生産ラインまで多様な要求に応える設計となっています。
【AIによる参考仕様】
・発振周波数: 13.56 MHz
・最大RF出力: 500 W
・出力インピーダンス: 50 Ω
・RF出力コネクタ: N型(Type-N)
・冷却方式: 強制空冷(内蔵ファン)
・表示方式: アナログメーター(進行波電力・反射波電力)
・RF制御方式: フロントパネルによるローカル制御、および背面端子経由のリモート制御(アナログ)
・回路方式: ソリッドステート方式
・電源要件: AC 115 V / 230 V(単相)※個体の結線設定により異なる場合があります
・設置形態: 19インチラックマウント対応
本装置は、半導体製造プロセスをはじめとする様々なプラズマ応用プロセス向けに設計されたソリッドステート方式の高周波(RF)ジェネレーターです。主にプラズマCVD、ドライエッチング、スパッタリング装置などにおけるプラズマ発生用電源として広く利用されています。
最大出力は500Wで、工業用周波数帯域である13.56MHzのRF電力を安定して供給することが可能です。出力インピーダンスは標準的な50Ωに設計されており、外部のインピーダンス・マッチングネットワークと組み合わせることで、負荷側への電力伝送効率を最適化できます。
本体前面には進行波電力(Forward Power)および反射波電力(Reflected Power)をリアルタイムで確認できるアナログメーターが配置されており、出力状態の直感的な監視が可能です。また、ソリッドステート設計により高い信頼性と再現性を備えています。冷却方式には強制空冷を採用しているため、水冷用の配管設備を必要とせず、設備への組み込みが容易な点も特徴です。フロントパネルでの手動操作に加え、アナログインターフェースを通じた外部リモート制御にも対応しており、研究開発用途から自動化された生産ラインまで多様な要求に応える設計となっています。
【AIによる参考仕様】
・発振周波数: 13.56 MHz
・最大RF出力: 500 W
・出力インピーダンス: 50 Ω
・RF出力コネクタ: N型(Type-N)
・冷却方式: 強制空冷(内蔵ファン)
・表示方式: アナログメーター(進行波電力・反射波電力)
・RF制御方式: フロントパネルによるローカル制御、および背面端子経由のリモート制御(アナログ)
・回路方式: ソリッドステート方式
・電源要件: AC 115 V / 230 V(単相)※個体の結線設定により異なる場合があります
・設置形態: 19インチラックマウント対応
