中古機 RF電源 Eni製、型式OEM-12Aのご紹介

【AIによる装置概要】
本装置は、半導体製造プロセスにおけるプラズマエッチング、CVD（化学気相成長）、スパッタリングなどのプラズマ生成用途として広く採用されている高周波（RF）電源です。出力周波数13.56MHzにおいて、最大1200W（1.2kW）の安定した高周波電力を供給する能力を備えています。

内部回路にはソリッドステート（半導体）方式を採用しており、従来の真空管方式と比較して高い電力変換効率と優れた信頼性を実現しています。出力インピーダンスは工業標準である50Ωに最適化されており、専用のインピーダンスマッチングネットワーク（整合器）と組み合わせることで、負荷側であるプラズマの状態変動に対しても、高速かつ安定した電力供給を維持します。

冷却方式には水冷式を採用しており、連続定格運転時においても装置内部の発熱を効率的に除去し、熱による出力変動やコンポーネントの劣化を防ぐ設計となっています。各種保護回路も内蔵されているため、異常時における機器の損傷を未然に防止します。半導体や電子部品の製造ラインをはじめ、液晶ディスプレイ製造、各種材料の表面処理、研究開発用途など、高精度なプラズマ制御と再現性が求められる環境に適した産業用電源装置です。

【AIによる参考仕様】
・出力周波数: 13.56 MHz
・最大出力電力: 1200 W
・出力インピーダンス: 50 Ω
・増幅方式: ソリッドステート（半導体式）
・冷却方式: 水冷式
・冷却水流量: 約 3.8 ～ 7.6 L/min（水温等による）
・RF出力コネクタ: HN型（仕様や年式によりType-N等の場合あり）
・高調波スプリアス: -50 dBc 以下
・保護機能: 過反射電力保護（VSWR）、過熱保護、過電流保護、冷却水流量異常保護
・外部インターフェース: アナログ／デジタル制御I/O（D-subコネクタ）
・入力電源: 三相 AC 208 V (50/60 Hz)
・外形寸法: 19インチラックマウント対応サイズ

※上記は当該シリーズにおける一般的な参考仕様です。製造ロット、マイナーチェンジ、特定の装置向けカスタマイズの有無により、入力電源電圧、冷却水の接続口徑、背面コネクタのピンアサインなどが実機と異なる場合があります。詳細な稼働条件につきましては、実機の銘板およびマニュアル等をご確認ください。