中古 DC電源(ピナクルプラス)
メーカー名
アドバンスドエナジー AE
型式M/N 3152533-356C
年式表記:
仕様:10KW
複数台有り
仕様:10KW
複数台有り
本体価格(税別、送料別)
400,000円
【AIによる装置概要】
本装置は、薄膜形成におけるPVD(物理気相成長)プロセス、特に反応性スパッタリングや基板バイアス用途向けに設計された10kW出力のパルスDC電源です。プラズマの安定性を飛躍的に高め、ターゲット表面の絶縁物蓄積によるチャージアップを効果的に抑制することで、高品位な薄膜の連続成膜を可能にします。
最大の技術的特長は、独自の高度なアーク抑制(アークハンドリング)機能です。プラズマの異常放電(アーク)が発生した際、マイクロ秒(μs)単位の極めて短い時間で検知・遮断し、自動かつ高速でプロセス電圧を復帰させます。これにより、ターゲットの損傷や基板への欠陥(パーティクル)の付着を最小限に抑え、製品歩留まりの維持に貢献します。
パルス周波数は5kHzから最大350kHzまでの広範囲で可変調整が可能であり、リバース電圧(逆電圧)やデューティサイクルなどの各種パラメータもプロセス条件に合わせて柔軟に設定できます。また、出力制御は定電力、定電圧、定電流の各モードに対応し、安定した放電環境を継続的に維持します。半導体、フラットパネルディスプレイ(FPD)、光学コーティング、ハードコーティングなどの真空成膜プロセスにおいて、高い再現性と連続稼働の信頼性が求められる環境下で力を発揮する産業用電源です。
【AIによる参考仕様】
・最大出力電力:10 kW
・最大出力電圧:800 VDC
・最大出力電流:25 A
・パルス周波数範囲:5 kHz ~ 350 kHz(可変設定)
・出力制御モード:定電力、定電圧、定電流
・アーク応答速度:マイクロ秒(μs)オーダーでの検知・遮断・回復
・冷却方式:水冷式
・入力電源:三相AC(※200/208V系または400/480V系。実機の銘板仕様を要確認)
・外部インターフェース:アナログ/デジタルI/Oポート、RS-232C通信(※実装されている通信オプションモジュールによりDeviceNetやProfibus等の場合あり)
・主な適用プロセス:反応性スパッタリング、DCスパッタリング、PVD基板バイアス
本装置は、薄膜形成におけるPVD(物理気相成長)プロセス、特に反応性スパッタリングや基板バイアス用途向けに設計された10kW出力のパルスDC電源です。プラズマの安定性を飛躍的に高め、ターゲット表面の絶縁物蓄積によるチャージアップを効果的に抑制することで、高品位な薄膜の連続成膜を可能にします。
最大の技術的特長は、独自の高度なアーク抑制(アークハンドリング)機能です。プラズマの異常放電(アーク)が発生した際、マイクロ秒(μs)単位の極めて短い時間で検知・遮断し、自動かつ高速でプロセス電圧を復帰させます。これにより、ターゲットの損傷や基板への欠陥(パーティクル)の付着を最小限に抑え、製品歩留まりの維持に貢献します。
パルス周波数は5kHzから最大350kHzまでの広範囲で可変調整が可能であり、リバース電圧(逆電圧)やデューティサイクルなどの各種パラメータもプロセス条件に合わせて柔軟に設定できます。また、出力制御は定電力、定電圧、定電流の各モードに対応し、安定した放電環境を継続的に維持します。半導体、フラットパネルディスプレイ(FPD)、光学コーティング、ハードコーティングなどの真空成膜プロセスにおいて、高い再現性と連続稼働の信頼性が求められる環境下で力を発揮する産業用電源です。
【AIによる参考仕様】
・最大出力電力:10 kW
・最大出力電圧:800 VDC
・最大出力電流:25 A
・パルス周波数範囲:5 kHz ~ 350 kHz(可変設定)
・出力制御モード:定電力、定電圧、定電流
・アーク応答速度:マイクロ秒(μs)オーダーでの検知・遮断・回復
・冷却方式:水冷式
・入力電源:三相AC(※200/208V系または400/480V系。実機の銘板仕様を要確認)
・外部インターフェース:アナログ/デジタルI/Oポート、RS-232C通信(※実装されている通信オプションモジュールによりDeviceNetやProfibus等の場合あり)
・主な適用プロセス:反応性スパッタリング、DCスパッタリング、PVD基板バイアス
